全球存儲芯片供需失衡加劇 華強北內存價格飆升200%創紀錄

作者: admin
發佈時間: 2025-11-23
 分類: 兩岸
標籤: 記憶體 漲價 內存

本報記者實地走訪深圳華強北電子市場發現,受全球芯片供應鏈持續緊張、原材料成本上揚及資本市場炒作等多重因素疊加影響,智能手機與個人電腦所需的存儲芯片(包括記憶體RAM與硬盤)價格出現罕見漲幅。據市場調查,部分商舖的內存條零售價較三個月前急升逾兩倍,行業分析指出這一輪漲價潮可能持續至2026年上半年。

「12G內存全面斷貨,8G內存價格翻倍還不止!」華強北賽格電子市場專營國產存儲產品的商戶向本報透露,採用國產芯片的BORY品牌系列產品自10月起持續調價,1TB硬盤從原價200-300元人民幣飆升至近600元,消費級存儲卡漲幅同樣驚人。另一家內存經銷商指著貨架感嘆:「64G存儲卡價格幾乎每日更新,採購成本壓力已傳導至零售端。」

值得關注的是,專業級存儲設備漲幅更為顯著。賽格市場華碩專賣店員工證實,32G內存條從原本百餘元漲至500元,1TB固態硬盤均價突破500元關口,較年初上漲約一倍。市場出現罕見的「午間報價不同晨間」現象,部分經銷商開始實施配額供貨。

深圳半導體行業協會秘書長常軍鋒分析,當前困境源於結構性產能失衡。前海開源基金首席經濟學家楊德龍補充說明,AI服務器需求爆發形成「黑洞效應」——美光科技數據顯示單台AI服務器需配置普通服務器8倍DRAM與3倍NAND閃存,而OpenAI等巨頭提前包攬原廠產能,加劇消費級市場短缺。

行業深度觀察顯示,存儲巨頭的產能轉移進一步惡化供需關係。三星電子已宣布逐步停產DDR4內存,SK海力士與美光將超過40%產能轉向HBM高帶寬內存。據TrendForce預測,2025年全球DDR4產能將萎縮25%,而HBM需求年複合增長率達45%。

這種技術迭代引發連鎖市場反應。華強北經銷商透露,部分投機資本大量囤積DDR4內存,形成「缺貨-漲價-囤積」的惡性循環。與此同時,終端電子產品已開始價格調整:聯想專賣店確認「雙11」後多款筆記本將漲價200-500元,華碩全線產品預計調價數百元。手機市場同樣受波及,OPPO Find X9、vivo X300等新品較前代漲價300-500元,紅米K90系列漲幅達100-400元。

面對市場異動,財經專家李大霄發出風險警示:「存儲產品技術迭代極快,DDR5普及將使囤積的DDR4產品迅速貶值。將存儲芯片視作理財產品存在認知謬誤。」他建議監管部門加強市場引導,幫助消費者理性應對價格波動。

產業鏈應對策略已現分化。電腦制造商加速切換DDR5內存以疏解成本壓力,而智能電視等消費電子產品則暫緩從DDR3向DDR4升級。楊德龍預計,隨着國產長江存儲等企業擴產及政府協調供需,市場有望在2026年前後逐步回歸平衡,但短期內存儲芯片價格仍將維持高位震盪格局。

分享
  • toolbar
    +852 6210 4608
  • toolbar
    返回頂部